반도체공정으로 통해 만들어진 IC의 Die 혹은 Barechip은 사이즈가 너무 작아서 다른 회로들에 그대로 붙여 쓸수가 없다. 그래서 그것을 보통 패키징과정으로 통해 모양좋게 네모난 프라스틱에 담고 회로에 올라갈만한 외부단자(Lead Frame)로 뽑아내는데, 이러한 패키지 내부에서 IC Die의 PAD와 Lead Frame과는 얇은 선으로 연결하게 된다. 이렇듯 반도체 PAD에서 외부 단자로 연결하기 위해 심는 얇은 선들을 붙이는 것을 Wire bonding이라고 한다. 보통 전도도가 높은 금(Au)으로 된 Wire를 사용하며, 그 굵기는 보통 20~50um 사이가 된다. 패키징을 하건 Bare chip을 그대로 갖다쓰건간에 작은 IC를 외부단자에 붙이려면 Wire bonding이 필수적이며, Wire bonder 혹은 Wire bonding machine을 통해 붙여지게 된다. 이러한 Wire bonding 은 접합방법에 따라 Ball bonding과 Wedge bonding으로 나누어진다. 

 

위 그림에서 가운데 칩과 외곽의 Lead frame을 이어주는 얇은 선들이 바로 Wire bonding된 선들이다. 이렇게 Bonding Wire를 붙이게 되면 그 길이에 의해 인덕턴스가 발생하고, 또한 0.x ~ 1dB 에 달하는 loss를 감수해야 한다. 하지만 Bonding은 필수적이기 때문에 어쩔 수 없이 붙여야 하기 때문에, 미리 그 영향을 고려해서 예측하고 설계하는 수밖에 없다. 특히 RFIC/MMIC에서는 이렇게 늘어난 인덕턴스로 인해 입출력 매칭이 틀어지는 경우가 허다하다. 저주파와 달리 단순히 기생효과수준이 아니라 회로 특성을 비틀어버릴수도 있기 때문에 어려운 요소가 된다. 그것을 극복하기 위해서는 0.1~0.2nH 가량의 값을 미리 예측하여 고려하던지, 입출력 매칭을 아주 완벽하게 잡아 놓아야 한다. 그렇기 때문에 어떠한 경우던지 Wire bonding거리는 최대한으로 짧은게 좋다.